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Samsung annuncia la prima MLC NAND Flash da 64GB con interfaccia Toggle DDR 2.0

Submitted by TechTop on Gio, 12/05/2011 - 17:22
Samsung annuncia la prima MLC NAND Flash da 64GB con interfaccia Toggle DDR 2.0

Se 400Mbps di velocità di trasferimento sono alla vostra portata (in molti casi il valore è superiore di 10 volte rispetto a quanto reperibile nei prodotti in commercio), allora troverete interesse nell’annuncio recente di Samsung a proposito della messa in produzione della prima memoria flash MLC (multi-level-cell) NAND da 64GB dotata di interfaccia Toggle DDR 2.0.
Per vedere la SSD in azione sui nostri telefoni, tablet e/o computer dovremo ovviamente attendere ancora qualche mese.

(Leggi il comunicato stampa in coreano)

Toshiba NAND Flash-memory 32nm High-density In Produzione A Luglio

Submitted by Spike on Lun, 27/04/2009 - 22:02
Toshiba NAND Flash-memory 32nm High-density In Produzione A Luglio

Toshiba ha dato fuoco alle polveri in ambito di memorie flash NAND realizzate con tecnologia costruttiva in High-density a 32-nanometri, vale a dire la più alta densità disponibile attualmente sul mercato, annunciando la produzione di chip a 32GB da Luglio prossimo, esattamente due mesi prima di quanto preventivato in precedenza.
La disponibilità per memorie a 16GB è fissata per il 3/o quarto del 2009.

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